15 марта 1930 г. родился Жорес Алферов

Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в белорусском городе Витебске. Физикой Жорес увлекся еще в школе, которую окончил с золотой медалью.

В 1947 году Алферов был зачислен в Ленинградский электротехнический институт (ЛЭТИ) им. В.И. Ульянова, его специализацией стала электровакуумная техника. Учась на третьем курсе, Жорес пошел работать в лабораторию профессора Б.Козырева, где начал свои эксперименты. Так полупроводники стали главным делом его жизни. В 1953 году, после окончания ЛЭТИ, молодой ученый был принят на работу в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе. Тогда перед учеными стояла задача: создать полупроводниковые приборы для внедрения в советскую промышленность. При участии Алферова были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. В 1959 году он защитил кандидатскую диссертацию, подводившую итог десятилетней работы.

Накопленный опыт позволил ученому перейти к разработке собственной темы. В 1963 году Жорес Иванович начал изучение полупроводниковых гетеропереходов, а вскоре сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx.

Благодаря исследованиям Алферова, мир получил мобильные телефоны, проигрыватели компакт-дисков, светодиоды, солнечные батареи и волоконно-оптические линии связи. А открытия ученого позволили кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать новые и перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.

В 1970 году Алферов защитил диссертацию, обобщив этап последних исследований, и получил степень доктора физико-математических наук. В 1972 году он стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.